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化学清洗工艺3.1、循环清洗

循环清洗是利用两条原有的平行排灰管形成回路，与清洗泵站形成循环系统，加入一定浓度的酸洗液，在灰水管道中循环流动清洗，并在酸度下降至一定程度时，不断补充酸液。对于短距离的单条灰水管道，若条件允许可，可铺设一条临时管道与其构成循环回路清洗。该工艺需在停运状态下进行，且工艺复杂，成本较高。

3.2、开路清洗

若在清洗时不能有两条灰管形成回路，只能采用单条灰管开路清洗。

方法是将灰管一端与清洗装置连接，在配液罐中连续配制一定浓度的酸洗液，连续或间歇地注入灰管中。此工艺需在停运状态下增加清洗设备，成本较高。

3.3、不停运化学清洗

该工艺是在灰管正常输灰不停运的状态下，连续注入一定量的酸液，同时注入一定量的缓蚀剂及清洗助剂，开路清洗。清洗助剂的主要昨天是在一定浓度及流速的酸液中，酸液与灰垢的反应，同时增加二氧化碳在水中的溶解度，减少气阻的产生，保证灰管的清洗质量。

操作方法是：清洗前，先按管道中垢量估算出所需的酸量，再根据灰水流量及酸度计算出加酸速度及缓蚀剂、清洗助剂的加入流速。清洗时，在灰管前端取样点每隔30min取样测试酸度，并通过加酸的流量调节来严格控制酸度。清洗后期，在灰管末端每隔15min取样测试PH值，当PH值达到一定数值并保持30min不变时，可判定清洗结束。

锅炉的清洗办法

锅炉的清洗办法可分为人工打扫、机械办法和化学清洗三大类。

①.人工打扫： 运用身段瘦小的工人进入锅炉铲刷污垢或用榔头击打，使水垢松动坠落。这是一种早的清洗办法，如今已多用；

②. 机械办法：运用带金属软管和电动的除垢器等刮隋；

③. 化学清洗： 运用化学药剂去除锅炉中污垢的办法。化学清洗是如今锅炉清洗中应用为普遍的一种办法。

1．32锅炉清洗的条件

《低压锅炉化学清洗导则》规矩，关于额定出口蒸汽压力小于等于2．45MPa(25kgf／cm2)的蒸汽锅炉和热水锅炉，当契合下列状况之一时，才可停止化学清洗。

1. 锅炉受热面被水垢掩盖80％以上，而且平均水垢厚度抵达或逾越下列数值：无过热器的锅炉 1mm； 有过热器的锅炉 0.5mm； 热水锅炉 1mm。

2. 锅炉受热面有显着的油污或铁锈，而且每台锅炉酸洗时间距离应不少于两年。 《火力发电厂锅炉化学清洗导则》(SDl35—86)规矩，直流炉和出口蒸汽压力大于等于9．8MPa的汽包炉，在投产前有必要停止化学清洗；压力在9．8MPa以下的汽包炉，除锈蚀严峻外，普通可不停止酸洗，但有必要碱煮。关于工作中的锅炉，SDl35—86规矩，当水冷壁管内的污垢量或锅炉化学清洗的距离时间逾越表18-26中的极限值时，就应***化学清洗。锅炉化学清洗的距离时间，还可依据工作水质的异常状况和大修时锅炉内的检查状况，作恰当改动。以重油和自然气为燃料的锅炉和液态排渣炉，锅炉的污垢极限招认化学清洗。普通只清洗锅炉本体。蒸汽流通局部能否停止化学清洗，应按理论状况决议。

化学清洗和安全知识

1 化学清洗

在半导体器件工艺实验中。化学清洗是指去除吸附在半导体、金属材料和器具表面的各种***杂质或油渍。清洗方法是利用各种化学***和有机助熔剂，使吸附在被清洗物体表面的杂质和油类发生化学反应溶解，或辅以超声波、加热、真空等物理措施，将杂质除去。从要清洁的物体。表面解吸（或解吸），然后用大量高纯冷热去离子水冲洗，得到干净的表面。

1.1 化学清洗的重要性

工艺实验中的每个实验都有化学清洗的问题。化学清洗的质量对实验结果有严重影响。如果过程处理不当，将得不到实验结果或实验结果很差。因此，了解化学清洗的作用和原理对工艺实验具有重要意义。众所周知，半导体的重要特性之一是对杂质非常敏感。只要有百万分之一甚至少量的杂质，就会对半导体的物理性能产生影响。方法。各种功能半导体器件的制造。但也正是因为这个特点，给半导体器件的工艺实验带来了麻烦和困难。用于清洁的化学***、生产工具和水可能成为***杂质的来源。即使是干净的半导体晶圆更长时间暴露在空气中也会引入明显的污染物。化学清洗是去除***杂质，保持硅片表面清洁。